技术编号:37944537
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容总体上涉及用于半导体处理腔室中的等离子体增强处理的设备和方法。具体而言,本公开内容的实施例涉及具有离子阻隔板的电容耦合等离子体(ccp)腔室,该离子阻隔板被偏压(bias)以减轻和/或消除离子阻隔板孔和处理间隙中的点亮(light-up)。背景技术、许多半导体处理涉及使用等离子体来增强膜及其沉积。等离子体产生期间的“点亮”会导致膜中的不均匀性,从而影响晶片的整体品质和产量。在等离子体增强沉积处理中,接地的离子阻隔板孔中的点亮会导致功率(power)外泄到离子阻隔板下方且在晶片顶表面上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。