技术编号：3800358
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术 芯片制造工艺中引入新的低k和超低k介电质给化学机械平坦化(CMP)方法带来了新的挑战。由于低k和超低k材料的机械强度相对较低，CMP过程中施加的机械力可能会使低k膜破碎或从晶片基材上剥离。CMP正在朝采用较小的向下力也即等于小于3psi(20.7kPa)的力的设备发展。操作这种采用较小的向下力的抛光设备需要抛光浆料来产生较大的材料去除速率，以便获得可以接受的晶片产率。浆料制造厂家面临的另一个挑战是，现有的低k/超低k材料的集成结构差异极大，而且该...
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