一种在单晶α-Al的制作方法技术资料下载

技术编号:3800936

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本发明属于纳米复合光学材料,它特别涉及一种纳米氧化锌发光材料的制备方法。背景技术 氧化锌(ZnO)是一种宽禁带(禁带宽度为3.37eV)半导体化合物,与ZnSe、ZnS和GaN相比,氧化锌的激子束缚能为60meV,比室温离化能26meV大很多,因此氧化锌更适合于在室温或更高温度下实现高功率的激光发射,氧化锌的发光性能一直是研究的热点。目前制备高强度发光纳米氧化锌薄膜的方法主要是分子束外延、金属有机化学气相沉积、脉冲激光沉积、射频磁控溅射以及反应直流溅射等方...
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