技术编号：3801787
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方案一般性地涉及制备具有低介电常数的介孔(mesoporous)薄膜的方法，更具体地，涉及制备具有低介电常数和优异物理性能的介孔薄膜的方法，该方法使用环状硅氧烷类单体作为结构导向剂。背景技术 随着制造半导体技术的发展，微型化并越来越高度集成地制造半导体器件。然而，在高度集成的半导体中，由于金属线之间的干扰，信号传递受到阻挡。因此，高度集成的半导体显示出依赖通过金属线的信号传递速度的特性。为了降低金属线的电阻和电容，需要减少半导体内中间层绝缘膜的...
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