技术编号:3801910
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体晶片材料的化学机械平化(CMP),更具体地说,涉及对浅槽隔离(STI)方法中半导体晶片的氧化硅和氮化硅进行抛光的CMP方法。背景技术微电子电路中器件尺寸的缩小和集成密度的增加要求相应地缩小隔离结构的尺寸。这种隔离结构的缩小促进了既提供有效隔离又占据最小基片表面的结构的可重复形成。STI技术是广泛使用的半导体制造方法,用以形成隔离结构,对集成电路中形成的各种有源元件进行电隔离。相对于传统LOCOS(硅的局部氧化)技术,使用STI技术的一个主要...
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