技术编号:3802666
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请主张在2005年12月26曰申请的曰本专利申请第2005 -371858号的优先权,通过参照其内容写入本申请。本发明涉及不含磨 料的研磨液以及CMP研磨方法(化学机械研磨方法),特别是涉及在 半导体器件等电路的布线形成工序中使用的用于CMP研磨的研磨液以 及CMP研磨方法。背景技术伴随着LSI的高性能化,作为LSI制造工序中的微细加工技术, 主要使用嵌刻(damascene)法,该方法是在预先形成有沟的绝缘膜上 使用电镀法埋入铜后,再使用化学机械研磨...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。