技术编号:3803847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学机械抛光液的制备工艺。 背景技术随着微电子技术的发展,甚大规模集成电路芯片的集成度已达几十亿个元 器件,特征尺寸己经进入纳米级。这就要求微电子工艺中的几百道工序,尤其是多层布线、衬底、介质必须要经过化学机械平坦化(CMP)。化学机械抛光液能 够选择性地促进特定半导体表面材料的去除,常规的化学机械抛光液包括研磨 颗粒和各种化学添加物,例如研磨速率提升剂、腐蚀抑制剂、氧化剂、酸碱度 调节剂和载体。目前,化学机械抛光液的制备主要采用的是小规模,...
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