技术编号：3805347
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学机械抛光组合物及方法。 背景技术下一代半导体器件的开发强调使用电阻率值比前一代金属(例如铝)低的 金属(例如铜)，以降低器件上导电层之间的电容并增加电路可工作的频率。 已证明现有技术方法(例如沉积及蚀刻方法)由于在蚀刻铜方面的困难而无法开发了使用铜制造互连的新方法。一种这样的方法称为大马士革工艺。根据该工艺，通常包含掺杂二氧化 硅、未掺杂二氧化硅或低K电介质的介电材料表面通过常规的干蚀刻方法来 图案化，以形成用于垂直及水平互连的孔及沟槽。该图...
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