技术编号：3806602
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体加工装置以及一种应用于该半导体加工装置 中的喷嘴结构。背景技术在半导体加工工业中，随着加工的技术节点越来越小，对整个硅片 尺度加工工艺均匀性的要求越来越高， 一般可以通过对工艺各项设置参 数的修改进行，或通过对硬件对称性的修改提高均匀性。适当的修改这 些硬件的设计对于提高刻蚀工艺的均匀性有很大帮助。但是由于集成测 量设备的应用，例如干涉测量设备，有时会限制硬件的修改，或与硬件 的4务改发生矛盾。而且，现有的喷嘴结构多是从一端进气，而从另...
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