技术编号：3816403
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学机械抛光液，主要应用于金属层间介质的平坦化化以及浅槽 隔离氧化硅的平坦化。背景技术在半导体制造流程中，介质材料的抛光主要有前道工序中的浅沟槽隔离抛光 (STI)，用以构成器件之间的隔离区，还有后道布线中的金属间介质材料的抛光(ILD、IMD)， 其主要目的是去除氮化硅层以上的所有氧化硅，并适当的停止在一定厚度的氮化硅上面， 氮化硅的作用是在CMP中作为抛光停止层，通过终点检测在从氧化硅过渡到氮化硅的时候 停止抛光过程，氮化硅的厚度也决定了...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。