技术编号：3818367
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学机械抛光液，尤其涉及一种用于抛光多晶硅的化学 机械抛光液。背景技术在集成电路制造中，互连技术的标准在提高， 一层上面又沉积一层，使 得在衬底表面形成了不规则的形貌。现有技术中使用的一种平坦化方法就是化学机械抛光(CMP)， CMP工艺就是使用一种含磨料的混合物和抛光垫去抛 光一硅片表面。在典型的化学机械抛光方法中，将衬底直接与旋转抛光垫接 触，用一载重物在衬底背面施加压力。在抛光期间，垫片和操作台旋转，同 时在衬底背面保持向下的力，将磨料...
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