技术编号:3819029
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多孔质膜的前体组合物及其制备方法、多孔质膜 及其制作方法以及半导体装置。特别是涉及一种用于制造具有低介电 常数及低折射率、并且机械强度也优良的疏水性多孔质膜的多孔质膜 前体组合物及其制备方法、使用该前体组合物而得的多孔质膜及其制 作方法、以及利用了该多孔质膜的半导体装置。背景技术近年来,在LSI领域,正在积极研究开发与铜配线一起,以2.5 以下的低介电常数(k)为特征的层间绝缘膜的引入。作为该层间绝缘 膜,提案有通过将具有低介电常数的氧化物膜...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。