技术编号：3820022
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术高阻抗的氧化铟锡导电膜主要应用于电子产品，例如触摸屏，现在，将导电聚合物应用于同样领域，如PED0T/PSS导电膜，其可用在光伏电池的前电极、超级电容器电极、触摸屏等诸多产品。在使用过程中，与氧化铟锡(ITO)导电膜工艺一样，为达成所需图型或电极，传统的蚀刻方法基本使用含酸或碱的液体蚀刻。在蚀刻之前需要使用保护胶把保留部位保护起来，在完成蚀刻后再用强酸或碱脱去保护胶。虽然此类工艺已经非常成熟和大量应用，但存在的一个严重问题是由于需要...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。