技术编号:3820894
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种。背景技术在半导体制备工艺中,平整的晶圆表面对于器件的小型化和高密度化极其重要,传统平坦化晶圆表面的方法为化学机械抛光法(CMP, Chemical Mechanical Polishing)。该方法在晶圆表面与抛光垫之间加入抛光液,利用机械力的作用和抛光液与晶圆表面产生的化学反应,平坦化晶圆表面。传统化学机械抛光法为游离磨料抛光法,包含于抛光液中的磨料在抛光垫上随机分布,其分布密度不均匀,抛光效果比较差,而且抛光液利...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。