技术编号：3821361
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米材料的制备方法，具体地说是。背景技术磷化镉是一种重要的II-V族半导体材料，由于磷化镉具有较窄的带宽(0. 55eV)， 较高的介电常数(5. 8)，很大的波尔半径(ISnm)及激子有着很轻的有效质量等优点[1_4]， 可望在生物标记，荧光探针，光电转换，太阳能电池等领域中得到应用[5-8]。当半导体的尺寸小于波尔半径时，其量子尺寸效应表现明显，尺寸减小，吸收谱峰表现为蓝移。因为磷化镉有着比较小的禁带宽度[3]，因此，随着其物理尺寸的减小...
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