技术编号：39897942
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及智能控制领域，具体涉及用于tsv刻蚀设备的智能控制方法。背景技术、在半导体芯片制造中，tsv技术被广泛应用于实现芯片内部各个功能层之间的垂直电气连接，tsv制造的关键环节之一是在硅基材上刻蚀形成高深宽比的深孔，并在孔内沉积绝缘层和金属导体以实现良好的绝缘和导通特性。然而，现有技术中tsv深孔刻蚀过程缺乏实时的监测和动态调整手段，导致无法精确控制刻蚀状态。而硅基材成分的不均匀性，如杂质分布不均匀等，会对刻蚀的效果产生影响，使得实际的孔壁形貌易出现倾斜、粗糙等缺陷。这些缺陷会导致后续绝缘...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。