技术编号:40165656
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及集成电路,具体涉及一种半导体器件及其制备方法。背景技术、随着大规模集成电路的发展,电路的特征尺寸不断微缩,芯片向三维方向发展进入后摩尔时代,从而满足高度集成、传输速度快、功耗低等需求。三维方向形成的结构类型其中有芯片-晶圆异质集成(chip to wafer,cw)结构,cw结构可以通过选择已知良好芯片与晶圆进行键合,在多层芯片堆叠时可显著提升良率。多个芯粒异质集成在一个芯粒上,再通过硅载片的贴合,形成一个完整的新芯粒。、现有cw结构在背面通过熔融键合于硅载片贴合,会导致c...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。