技术编号:40203464
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及一种形成薄膜的方法和装置。更具体地,本公开内容涉及用于半导体器件中的金属间隙填充的方法和装置。背景微电子器件的制造通常涉及复杂的处理序列,需要在半导体、电介质和导电基板上执行数百个单独的处理。这些处理的示例包括氧化、扩散、离子注入、薄膜沉积、清洁、蚀刻、光刻等操作。每个操作都是耗时且昂贵的。随着微电子器件的关键尺寸不断减小,这些器件在基板上的设计和制造正变得或已经变得越来越复杂。关键尺寸和处理均匀性的控制变得越来越重要。用于制造微电子器件的复杂多层堆叠涉及对厚度、粗糙度、应力...
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