技术编号:410638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种半导体器件,尤其涉及一种。背景技术随着传统的CMOS超大规模集成电路技术的高速发展,闪存技术也朝着低功耗,低工作电压和高存储密度的方向发展。但是由于多晶硅浮栅极存储的电荷是连续分布的,当有一个泄漏通道的时候,整个浮栅极上存储的电荷都会通过这个泄漏通道而丢失,因此限制闪存按比例缩小能力的最大障碍是其隧穿氧化层厚度不能持续减小,因为在薄的隧穿氧化层情况下,直接隧穿和应力引起的泄漏电流等效应都会对存储器的漏电控制提出巨大的挑战。最近发展的SONOS结构,用具有电荷陷阱能力的氮化硅层取代原有的多晶硅存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。