技术编号:41502
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要一种具有小回滞窗口的高压ESD保护器件,可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该保护器件可在高压ESD脉冲作用下,形成两条由LDMOS与SCR构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的PNP管和N阱电阻为公共支路,以降低器件的电子发射率,提高维持电压和ESD鲁棒性。另一方面,通过在器件内部设计一齐纳二极管,以降低触发电压,实现具有小回滞窗口的高压ESD保护。专利说明一种具有小回滞窗口的高压ESD保...
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