技术编号：4169728
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术，特别涉及用于在半导体晶片上生长薄膜的生长系统和使用该系统制造半导体器件的工艺。制造者在半导体晶片上制造集成电路时，在半导体晶片上依次生长各种材料，并且薄层被构图成带有接触孔的层间绝缘层和用于电信号的导电条。薄膜生长的技术目标之一是半导体晶片上的厚度均匀性。大气压条件下的化学汽相淀积系统是典型的薄膜生长设备的例子。大气压条件下的化学汽相淀积系统具有反应器，并且反应室形成在反应器的内部。传送带设置在反应室中，半导体晶片放置在传送带...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。