技术编号：42438
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本实用新型公开了一种背接触异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于在硅基体层的前表面依次设置前表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述P型非晶硅层的厚度为5?20nm，宽度为100?1000μm，N型非晶硅层的厚度为5?20nm，宽度为100?1000μm，相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150?3000μm，在所述P型非晶硅层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。