技术编号：4414741
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在薄基材上沉积铝层或铝膜。背景技术在许多应用 中，硅晶片需要在其上沉积厚铝层。例如，当由晶片形成的器件包括高功率晶体管吋，为了处理这些器件所固有的非常高的电流密度，厚铝层作为接触层可为必要的。通常这些器件具有竖直机构，该竖直机构具有包含ー个或多个1-20 μ m厚度的铝层的源极接点。将这些沉积到嵌于全厚度晶片上的半导体器件上(直到例如MOSFET. IGBTBipolar)。通常在晶片的背面形成漏极接点。然而，因为大部分厚度对于器件性能不是有用的...
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