技术编号：4421832
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及用于生产半导体芯片的方法。更详细地，本发明涉及提高用作集成电路(IC)电介质的一些多孔材料的结构性质的方法。具有低介电常数的新材料(现有技术中称为“low-K电介质”)在半导体芯片设计中作为绝缘体的潜在用途正被研究。低介电常数材料能帮助进一步减少集成电路特征尺寸。最低介电常数的物质是空气(k＝1.0)。因此，多孔电介质是非常有前途的候选者，因为它们具有提供非常低的介电常数的潜力。然而，不幸的是，这些多孔低介电常数电介质一般存在机械强度不够的难...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。