技术编号：4481647
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，具体涉及一种以锑掺杂 二氧化锡(以下称为ATO)纳米粉体为导电填料、可溶性绝缘聚合物为基体的导电复 合材料及其制备方法。背景技术导电聚合物材料具有质轻、易成型、使用方便等特点，在抗静电防辐射领域有着 广泛的应用前景。根据组成及导电机理，导电聚合物材料包括本征型和掺合型两种。 在所有的导电复合材料中，浅色透明导电复合材料是目前国内外研究的重点领域，日 本专利8 — 102227中介绍了一种导电膜，以含锡的氧化铟为导电细粉，用粘度为25cps 或更...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。