技术编号:4578175
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到SOI衬底及其制造方法和装置,更确切地说是涉及到用包含键合二个衬底的步骤的制造方法而得到的SOI衬底及其制造方法和装置。在绝缘层上具有单晶硅层的衬底即众所周知的SOI(绝缘体上硅)衬底。采用这种SOI衬底的器件具有许多普通体硅衬底无法得到的优点。作为一种SOI工艺,在蓝宝石衬底上异质外延生长单晶硅的SOS(蓝宝石上硅)工艺早已为人所知。但异质外延生长得到的单晶硅层的晶体质量很低。在SOS工艺之后出现了SIMOX(用离子注入的氧进行分离)工艺。S...
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