技术编号:4822262
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米半导体复合材料及其制备,涉及ニ元多孔纳米光催化剂材料化学合成的制备方法,特别是一种简单制备ニ元多孔空心立方体形CdO/CdS核-壳结构纳米晶的方法。 背景技术硫化镉(CdS)作为ー种重要的纳米半导体材料,其带隙为2. 4eV,在光致发光、光电转换、光催化、传感器等方面有广泛的应用,在美国的《科学》杂志(1998年,279卷208页)有过报道。CdS纳米晶的尺寸、形貌和表面状况对其光电性能有很大影响,因此CdS纳米晶的可控合成与自组装的研究有重...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。