技术编号:4854734
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种用于光电-Fenton处理系统的多孔膜阴极及其制备工艺。将石墨粉前处理得到后物质B,物质B再经过KNO3水溶液、壬基酚聚氧乙烯醚水溶液、乙醇、叔丁醇和聚四氟乙烯乳液处理后得到膏状物A;将膏状物A涂抹在处理后的镍网一侧经挤压处理得到物质E;制备溶液C;将物质B、KNO3水溶液、壬基酚聚氧乙烯醚水溶液、乙醚、甲醇、二乙基蒽醌、溶液C和聚四氟乙烯乳液制备成膏状物B;将膏状物B涂抹在物质E的另一侧再经挤压、煅烧、冷却后即可得到用于光电-Fenton...
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