技术编号：4873441
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及废水处理领域，更具体地说，本发明涉及一种用于从半导体废水中同时沉淀多种金属离子以提高微滤器工作效率的合成物和方法。背景技术直到开发了铜的互连技术以后，才从半导体厂生产多层微芯片的废水中发现了铜。由于铜的电阻率较低，因而目前铜正在替代铝和钨。在生产多层芯片的过程中，有许多步骤，其中包括沉积介电层(二氧化硅或者低k聚合物)，在上述介电层上蚀刻互连图案(沟槽和通路)，在上述沟槽和通路中沉积金属铜，以及化学机械抛光(CMP)，除去多余的铜，并在形成下...
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