技术编号:4946654
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,以钛酸四丁酯为钛源,烷基三乙氧基硅烷同时作为碳源和硅源,利用烷基三乙氧基硅烷与钛酸四丁酯共水解缩聚制备硅掺杂的二氧化钛前驱体,利用烷基三乙氧基硅烷中的硅-烷基键(如Si-CH3)来调控二氧化钛晶粒生长,利用硅-烷基键引入碳源,在后续的焙烧过程原位引入碳,进而制备得到碳-硅共掺杂的纳米二氧化钛。且可通过调节制备体系中Si/Ti比对硅的掺杂量进行调节,选择含有不同烷基的三乙氧基硅烷(如Si-CH3和Si-C3H7)可以实现对碳/硅的调节。专利说明 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。