技术编号:4948198
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,该方法采用无机插层剂插层处理,将无机物插入到蒙脱石的晶层中,提高蒙脱石的比表面积,具体步骤分为TiO2插层剂的制备、SiO2插层剂的制备、TiO2-SiO2复合插层剂的制备和改性蒙脱石二氧化碳吸附材料的制备。本发明制备工艺简单,所制得的吸附材料比表面积为450~500m2/g,孔容为0.28~0.32cm3/g,孔径分布在3~5nm,对二氧化碳具有良好的吸附能力,且循环稳定性良好,与其它改性分子筛类多孔材料相比,其成本大幅降低,无毒无害,能够...
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