技术编号：4956944
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 []本发明涉及一种环境与半导体，具体是一种。氧化锌是一种具有卓越性能的新型宽禁带、高激发能的半导体材料，特殊的电子结构使它具有优异的电、磁、光等效应。氧化锌与二氧化钛相比，二者禁带宽度相当，但氧化锌生产工艺简单、成本低廉，因此成为目前被广泛研究的光催化半导体材料。然而，氧化锌半导体材料存在如光谱响应范围窄、带隙较宽、电子_空穴对易复合等缺点，导致光催化效率不高，从而限制了其应用。在氧化锌粒子表面沉积贵金属是一种有效的半导体光催化剂改性方法，贵金属的掺杂可...
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