技术编号:4967006
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。以硝酸镉为镉源、硝酸铁为铁源、硫脲为硫源,应用水热制备技术在120~200℃下恒温反应6~18小时,经去离子水和乙醇交替洗涤、离心、干燥后,制得铁掺杂的硫化镉晶体。本发明的制备方法操作简单、原料易得且价格低廉,所得硫化镉晶体纯度高,同时过渡金属铁离子的掺杂,可有效转移光生电子,降低光生电子-空穴对的复合几率,从而提高其光催化活性,并同时减缓光腐蚀的发生,延长硫化镉的使用寿命。专利说明 [0001]本发明属于无机功能晶体材料制备,具体...
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