技术编号：4976554
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体、液晶等电子电路元件时，特别是清洗、腐蚀工序中产生排气的除害方法及除害装置，还涉及精炼铝时产生有害气体的除害方法及装置。以下，仅就本发明领域局限于电子电路元件制造时，在清洗和腐蚀工序中所用气体的除害进行说明。在CVD(化学气相沉积)等半导体制造装置中，形成各种薄膜时使用沉积气体(例如SiH4、Si2H6、SiH2Cl2、TEOS、PH3、B2H6、NH3、N2O等)，沉积工序终止后通常用清洗气体(例如NF3、C2F6、CF4、SF6等)...
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