技术编号:4987252
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型有关一种尾气吸收装置,尤其是指一种用于原子层沉积反应的尾气吸 收装置。背景技术单原子层沉积(Atomic Layer D印osition,ALD),又称原子层沉积或原子层外延 (Atomic Layer Epitaxy),最初是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料SiS = Mn以及非晶 Al2O3绝缘膜的研制,这些材料是用于平板显示器。由于这一工艺涉及复杂的表面化学过程 和低的沉积速度,直至上世纪80年代中后期该技术并没有取得实质性的突破。但是到...
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