技术编号:4992478
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电材料新能源领域,特别涉及Ti02/W03复合薄膜的制备方法。 背景技术近些年来,随着能源枯竭、环境污染等问题的日益严峻,寻求合适的材料来解决当前能源和环境问题引起人们的极大关注。在众多金属氧化物半导体材料中,T^2以其无毒、 吸附性强、稳定性好、活性高等特点得到了广泛的关注和研究,尤其在光催化以及太阳能的存储与利用方面有着广阔的应用前景。然而,由于T^2为宽禁带半导体,对太阳光的利用仅局限于紫外部分,并且光生电子-空穴对的复合几率很高,导致了...
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