技术编号:4994432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料,具体地涉及一种SiC纳米晶/石墨烯异质结。本发明还涉及上述SiC纳米晶/石墨烯异质结的制备方法。本发明还涉及上述SiC纳米晶/石墨烯异质结在表面催化方面的应用。背景技术随着技术进步和社会发展,人们对能源的消耗越来越多,给环境带来的污染越 等可燃气体)和降解有机污染物的有效方法成为当前的研究热点之一。传统的半导体光催化剂主要有W03、TO2, ZnO和SiC粉末等。为了提高半导体光催化介质的催化作用,两种技术方法常被用来提高光催化作用一是增加...
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