技术编号:5000289
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种P族多元化合物双温区合成容器及装置,尤其是P族多元化合物多晶材料的合成容器及装置。背景技术ZnGeP2, CdSiP2等黄铜矿结构的P族化合物半导体是重要的产生中远红外激光的光学变频材料,具有非线性系数大,光转换效率高等优点。此类化合物的合成一般采用单质原料按化学计量比在高温下反应制得,此类P族化合物具有高熔点、高蒸气分解压的特点, 在直接合成过程中,在较低温下的反应速率低,加快升温速率又极易导致石英坩埚的爆炸, 所以合成效率不高。而目前...
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