技术编号:5004071
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件的制造,更特别涉及对供应至半导体加工设备的臭氧化水的控制。背景技术在半导体制造中使用臭氧化去离子水能提供比较简单安全的加工步骤,例如晶片表面清洁,钝化,天然氧化物清除,和清除光刻胶。臭氧化去离子水发生器通常使用接触器使臭氧从气体扩散进入去离子水中从而制造臭氧化水。薄膜式接触器使用臭氧可渗透膜在液体和气体之间提供物理分离,而填充柱接触器使液体和气体均质混合,在压力下产生更高的臭氧浓度。半导体制造厂家通常具有多个需要臭氧化水的加工设备。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。