技术编号:5004982
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于化工生产,尤其涉及。背景技术从1970年日本的两位科学家首次发现半导体TiO2具有光催化活性以来,基于TiO2, ZnO等具有宽禁带、高激子结合能的半导体作为光催化剂的研究一直没有停止。尽管光催化技术发展了几十年,但一直存在着制约其工业应用的瓶颈。比如使用单一的纳米光催化剂存在着难以分散、难以分离回收、光催化活性不高等一系列的缺点。在提高光催化活性这一块,各国的研究者们已经做出了很多卓有成效的工作,比如贵金属元素如AiuAg以及非金属元素如N、S...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。