技术编号:5006450
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及含金属化合物领域,特别涉及含金属化合物的提纯领域。背景技术含金属化合物被用于多种的应用,例如催化剂和生长金属膜的来源。该化合物的一个应用是制造电子器件,例如半导体。许多半导体材料使用大家公认的沉积技术制造,其中使用超高纯的金属有机的(有机金属的)化合物,例如,金属有机的汽相取向附生,金属有机的分子束取向附生,金属有机的化学气相淀积和原子的层沉积。为了用于这些方法,有机金属化合物必须是无污染物和/或有害杂质的。存在于有机金属的来源中的杂质如果未被除...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。