技术编号:5007099
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,属于光伏。 背景技术随着光伏产业的迅猛发展,对硅片的需求量越来越大,处于光伏产业上游硅片制备环节显得越来越重要。在切割以前的整个流程中,拉晶(铸锭)、截段、切方(破锭)3个环节对硅料消耗都很低,唯独在切割中造成的消耗最大。发明内容本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种,切割效果好,提高单晶硅片切割的合格率。按照本发明提供的技术方案,一种,特征是,包括以下工艺步骤(1)、切割磨料烘干将切割磨料于80 90°C的烘箱中烘干8 12小时...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。