技术编号：5009622
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工业及研究中含砷及砷化合物的废气的处理方法。在半导体科研及生产中，在采用如化学束外延(CBE)、金属有机化合物气相淀积(MOCVD)等方法进行含砷的半导体材料制备过程中，产生含有砷及砷化合物的废气。这些成份是有毒的，因此，废气必须经处理后才能排放。国家环保标准对排放废气中有毒气体的含量有具体规定，处理后的废气必须达到这一标准才能排放。通常是用处理溶液对有毒成份进行吸收，而且通常是用氧化剂来吸收。吸收的方式有两种，一种是鼓泡，一种是逆向喷淋。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。