技术编号:5015273
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于在进行工业和科学处理的过程中保持极低气压的系统,尤其是在持续接受新鲜供气的区域。很多类型的工业和科学处理在抽真空至大约几个毫乇(mT)的极低压力的处理区中进行。该类型的处理包括利用等离子体在半导体晶片上进行沉积和蚀刻操作。在用于进行这样的处理的系统中,等离子体在处理区中产生,该处理区包含保持很低压力的处理气体,该低压的范围是1-100mT,通常小于10mT。气体将被离子化成等离子体,且生成的离子通过合适的电场朝晶片加速。在该处理过程中,在将新...
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