技术编号：5019916
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求申请于2004年3月19日的U.S.临时申请No.60/554,768的权益，将其全部内容以引用的方式加入本文。背景技术 无机卤化物和卤氧化物，例如四氯化硅(SiCl4)、四氯化锗(GeCl4)和氯氧化磷(POCl3)，在众多行业包括光纤制造业和半导体设备制造业中，是尤其令人感兴趣的。这些物质中的杂质含量对于成品的外观和/或性能通常是非常关键的。用于生产电子级别的硅的SiCl4中的杂质含量影响单晶硅片的纯度，并限制在晶片上形成的电路的密度。用于半...
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