一种外延尾气处理器快速维护的装置的制作方法技术资料下载

技术编号:5026811

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本实用新型涉及一种外延尾气处理器快速维护的装置。 背景技术硅外延工艺是通过化学气相沉积的方法在硅抛光片上沉积一层单晶硅。生长 单晶的硅源通常利用硅烷的分解、或者氢气还原硅氯烷而获得。外延工艺中需要 大量的HCL,三氯硅烷(TCS) , 二氯硅烷(DCS) , BA, PH,, FL等特殊气体,其 中DCS, TCS, B2H6, PHa都为剧毒气体,需要避免直接排入空气中,这些气体会影 响厂房周边的人生和环境安全,尾气处理器是外延工艺过程中必须的尾气处理装...
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