技术编号:5028519
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及和装置。化学气相沉积(CVD)用于在位于沉积室中的基底或晶片的表面 上沉积薄膜或层。这种方法是这样操作的在激励化学反应在基底表 面发生的条件下,将一种或多种反应性气体提供给所述室,常常使用 载气,到达所述基底表面。例如,TEOS和氧气与臭氧之一可以被提 供到沉积室来在基底上形成氧化硅层,并且可以提供硅烷和氨来形成 氮化硅层。多晶硅,通过加热来分解硅烷或氯硅烷,在基底上沉积。气体也被提供给蚀刻室来进行沉积层的区域的选择蚀刻,例如在 形成半导体设备...
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