技术编号：5028870
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米孔阵列薄膜及制备方法，尤其是一种二氧化钛纳米 孔阵列薄膜及其制备方法。 背景技术二氧化钛是一种宽带隙半导体,在我们的生活中扮演着非常重要的角色。 随着人们对在清洁、能源、传感器件等方面日益增加的关注，其出色的催化、 光催化性能及其在染料敏化太阳能电池中的应用引起了人们愈来愈大的重 视。有着孔阵列结构的氧化物半导体纳米薄膜因其具有较大的比表面积以及 在各方面的优异性质越来越成为人们研究的热点。二氧化钛的众多性能都与 其比表面积有着直接的联系...
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