技术编号:5044812
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种环境与半导体,具体是ー种。氧化锌是ー种具有卓越性能的新型宽禁带、高激发能的半导体材料,特殊的电子结构使它具有优异的电、磁、光等效应。氧化锌与ニ氧化钛相比,二者禁带宽度相当,但氧化锌生产エ艺简单、成本低廉,因此成为目前被广泛研究的光催化半导体材料。然而,氧化锌半导体材料存在如光谱响应范围窄、带隙较宽、电子-空穴对易复合等缺点,导致光催化效 率不高,从而限制了其应用。在氧化锌粒子表面沉积贵金属是ー种有效的半导体光催化剂改性方法,贵金属的掺杂可改变...
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