技术编号：5100856
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种适合于酸生成剂的盐，该酸生成剂用于在半导体精细加工中使用的化学放大型性抗蚀剂，还涉及一种含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物。背景技术 用于采用光刻法的半导体微型制造的化学放大型抗蚀剂组合物含有酸生成剂，该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。在半导体微型制造中，适宜的是形成具有高分辨率的图案，并且期望有产生这样的图案的化学放大型抗蚀剂组合物。最近，提出了一种化学放大型抗蚀剂组合物，该化学放大型抗蚀剂组合物含有三苯锍1-金刚烷甲氧基羰基二氟甲磺酸盐...
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